Проект направлен на выстраивание технологической цепочки производства необходимых веществ в объёме, который полностью удовлетворит потребности внутреннего рынка.
Химики ННГУ им. Н.И. Лобачевского выиграли грант Российского научного фонда (РНФ) в раземере 95 млн руб. на разработку отечественной технологии синтеза высокочистого арсенида галлия — базового материала СВЧ-электроники и лазерной техники. Об этом сообщили в пресс-службе вуза.
Проект «Разработка технологии и синтез высокочистого поликристаллического арсенида галлия для создания электронной компонентной базы СВЧ электроники и лазерной техники» направлен на укрепление технологического суверенитета и импортозамещение в области микроэлектроники.
По словам его руководителя, заведующего лабораторией технологии высокочистых материалов НИИ химии ННГУ Леонида Мочалова , в настоящее время в России нет собственных технологий получения высокочистого поликристаллического арсенида галлия (GaAs), необходимогодля выращивания монокристаллического GaAs.
Проект направлен на выстраивание технологической цепочки производства необходимых веществ в объёме, полностью удовлетворяющем потребности внутреннего рынка, в перспективе — с выходом на внешний рынок, —добавил Леонид Мочалов.
Индустриальным партнёром ННГУ выступает компания «ЛАССАРД» (российский производитель лазерных компонентов), аналитическим — Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева.
Ранее NN.DK.RU писал, что ННГУ им. Н.И. Лобачевского получил 10 млн руб. на разработку и вывод на орбиту спутника.